從之前的文章中我們了解了磁流變拋光的原理：在磁場中，發(fā)生流變的磁流變拋光液流經工件與運動盤形成的小間隙時，會對工件表面與之接觸的區(qū)域產生很大的剪切力，從而使工件表面材料被去除。

那么你知道磁流變這種超精密拋光技術是怎么提出的嗎？

其實，磁流變拋光并非最早將磁場應用于光學拋光的方法。早在80年代初期，日本就有人將磁場用于光學加工，形成了磁介質輔助拋光法，主要有以下三種：

1、磁性液體拋光

1984年，Y.Tian和K.Kawata利用磁場對浸入磁性液體中的聚丙烯平片進行加工。原理圖如下：

其材料去除率為2μm/min， 經過一小時拋光后，工件表面粗糙度降低了10倍。

1987年，Y.Satio等人又在水基的磁性液中對聚丙烯平片進行了拋光，這種方法的缺點是拋光壓力較小，不能對較硬材料進行拋光，而且不能對工件表面進行有效的控制。為獲得較大的拋光壓力，Umehara等人在磁性液體中放入一個浮體與工件相接觸來進行拋光，使壓力大大加強，收到了良好的效果。

2、磁場輔助精密拋光

磁場輔助精密拋光是八十年代初Kurobe等人提出來的，原理圖如下：

柔性的橡膠墊將銅盤槽底部的磁性液體密封，拋光液放在銅盤槽中橡膠墊的上方，工件浸于拋光液中。在磁場作用下，磁性液體受力并作用到橡膠墊拋光盤上，柔性的橡膠墊拋光盤受力變形，其形狀與工件表面形狀吻合來對工件進行拋光。拋光后表面粗糙度由10um (峰谷值)降到了幾個um。

1989年，Suzuki等人用這種方法使表面粗糙度從1500A降低到了100A，面形誤差從0.4μm降到了0.3um。

1993年，Suzuki等人用這種方法對40mm直徑的非球面玻璃拋光，材料去除率達到了2-4 um/h。

3、磁力研拋法

磁力研拋法是T.Shinmura等人提出來的，原理是：將被加工，工件與很多磁性拋光粉接觸，在外磁場作用下，磁性拋光粉聚結在一起形成磁粉刷，當工件與刷有相對運動時，他們之間相互摩擦，從而實現(xiàn)對工件的拋光。

以上磁場輔助拋光法要么效率低，要么不易控制，要么產生大的下表面破壞層，總之都存在一定的缺陷，于是磁流變拋光在此基礎上應運而生。

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