導(dǎo)語(yǔ)：昨天的文章，我們講到：化學(xué)機(jī)械拋光在不影響拋光速率的前提下，既可以獲得光潔度較高的表面，又可以提高表面平整度，是迄今唯一可以提供整體平面化的表面精加工技術(shù)。今天我們繼續(xù)來(lái)看超精密化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)。

超精密化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)的發(fā)展

1985年之前，CMP技術(shù)主要應(yīng)用于精密光學(xué)系統(tǒng)的生產(chǎn)和半導(dǎo)體制造中硅片加工，在商業(yè)中CMP技術(shù)高度壟斷，并秘密保存。

80年代后期，CMP技術(shù)被SEMATECH（半導(dǎo)體制造工藝研究合作組織）描述為是一個(gè)對(duì)多層金屬薄膜加工的強(qiáng)有力的技術(shù)，并且為了推動(dòng)CMP裝置設(shè)備和消耗品的研發(fā)和提高性能，SEMATECH發(fā)起了巨大的聯(lián)合研發(fā)計(jì)劃。

1991年，CMP技術(shù)首次被IBM公司成功應(yīng)用到“動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器“（MbDRAM）的生產(chǎn)上來(lái)，之后CMP技術(shù)以不同的發(fā)展規(guī)模應(yīng)用到各種存儲(chǔ)器和邏輯電路上。

目前，電子產(chǎn)品的先進(jìn)制造業(yè)的快速發(fā)展方向?yàn)楦呔龋{米級(jí)的控制精度，亞納米級(jí)的加工精度）、高性能、高集成度以及可靠性，因此，對(duì)加工工件表面的局部平整度和整體平整度都提出了前所未有的高要求（要求達(dá)到亞納米量級(jí)的表面粗糙度），同時(shí)對(duì)超精密加工技術(shù)的水平提出了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。我國(guó)科研學(xué)者已經(jīng)開(kāi)始了對(duì)化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)的研究，并且已經(jīng)取得不小的成果。

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化學(xué)機(jī)械拋光液的研究前景

隨著經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，為了徹底擺脫對(duì)進(jìn)口拋光液的依賴(lài)，拋光液行業(yè)在國(guó)內(nèi)的關(guān)注度逐漸上升，但在拋光液的制備及其使用過(guò)程中仍有許多問(wèn)題需要解決：

1、拋光液對(duì)環(huán)境的影響。

化學(xué)機(jī)械拋光液中的化學(xué)成分，如氨、酸等有毒成分對(duì)環(huán)境和人體的傷害很大，為此，在進(jìn)一步研究拋光液制備工藝的同時(shí)，拋光液的循環(huán)利用也要進(jìn)一步完善，做到經(jīng)濟(jì)發(fā)展與環(huán)境保護(hù)相協(xié)調(diào)。例如，水性體系的拋光液綠色環(huán)保，散熱快。

2、化學(xué)機(jī)械拋光液磨料粒子的分散問(wèn)題。

拋光液中使用的多為納米粒子，納米粒子的比表面積較大，表面能較高，極易發(fā)生團(tuán)聚，目前國(guó)內(nèi)外常用超聲波、機(jī)械攪拌、表面處理等機(jī)械化學(xué)方法對(duì)納米磨料粒子進(jìn)行分散，但是往往達(dá)不到效果，因此，納米磨料粒子的分散穩(wěn)定性需要進(jìn)一步的研究。

3、拋光液的適用性。

目前所用的拋光液沒(méi)有表明針對(duì)某一工件適用，因此，針對(duì)不同材料開(kāi)發(fā)專(zhuān)門(mén)使用的化學(xué)機(jī)械拋光液需要進(jìn)一步的研究。例如，目前富士康對(duì)iphone、ipad等外殼進(jìn)行光學(xué)鏡面模拋光，以及對(duì)半導(dǎo)體晶片的拋光，都需要使用專(zhuān)門(mén)特定的拋光液。

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